产品编号:TNST

TNST 技术数据 (下载)

          
产品描述:
TimetubeTM ---超高纯单壁碳纳米管---超高纯单壁碳纳米管（TNST）是先利用甲烷经钴催化剂催化裂解，然后在空气中氧化制备得到的。此类产品几乎不含无定形碳。TNST具有高的燃点，起燃温度可达620°C，可应用于透明导电薄膜及其它科研和工业领域。利用TNST制备的透明导电薄膜片电阻不低于200ohm/sq，透光率不低于80%。
TNST 是制备碳纳米管透明导电薄膜的一种优良原材料。制备得到的透明导电薄膜可广泛应用于触摸屏、平板显示器、液晶显示器及太阳能电池领域。与传统的铟锡氧化物镀膜相比，碳纳米管透明导电薄膜具有以下明显优势：
                   1. 长时间使用，具有稳定的机械性能
                   2. 具有宽的透光谱带
                   3. 在不损失薄膜均匀性的前提下，具有较高的片电阻
                   4. 成本低廉
Timesnano 能够提供1-500gram 包装规格的超高纯单壁碳纳米管（TNST）。
 

性质	单位	超高纯单壁碳纳米管（移动催化）	表征方法
		TNST
OD	nm	<2	HRTEM,Raman
纯度（Purity）	wt%	>95	TGA & TEM
长度（Length）	microns	5-30	TEM
SSA	m2/g	>490	BET
灰分（ASH）	wt%	<5	HRTEM,TGA
燃点	℃	610	TPO
Ig/Id	--	>20	Raman
OD=外径(Outer Diameter)          SSA=比表面积(Specific Surface Area)

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